（原標題：OPPO Find X8發布,英諾賽科為其注入AllGaN黑科技）

10月24日,各人朝上的智能終局制造商OPPO發布了最新的旗艦手機 Find X8/X8 pro,主打輕薄直屏和影像旗艦,天璣9400處理器與潮汐引擎的超強配置,配合冰川電板與極速充電工夫,或者為用戶帶來暢通的操作體驗和捏久的續航推崇。

據了解,OPPO 這次發布的Find X8/X8 pro系列手機攝取了英諾賽科全鏈路氮化鎵(AllGaN)工夫,從電源側的快速充電(80W超等閃充和50W無線充)得手機里面主板的充電過壓保護(OVP),均攝取了英諾賽科氮化鎵。

據悉,英諾賽科是各人功率半導體更動的調換者,亦然各人最大的氮化鎵芯片制造企業。公司攝取IDM全產業鏈生意邊幅,并在各人范圍內初度達成了先進的8英寸氮化鎵量產工藝,是各人氮化鎵行業的龍頭企業,于2023-2024年,貫穿2年入選“胡潤各人獨角獸榜”。

英諾賽科的氮化鎵產物用于各式低中高壓期騙場景,產物研發范圍障翳15V至1200V,涵蓋晶圓、分立器件、IC、模組,并為客戶提供全氮化鎵懲辦決策。樹立于今,英諾賽科領有近700項專利及專利肯求,產物可庸碌期騙于蹧跶電子、可再天真力及工業期騙、汽車電子及數據中心等前沿邊界。

全鏈路氮化鎵(AllGaN)工夫

第三代半導體氮化鎵材料具備高能效、高頻率的特點,或者打造體積更小、充電更快且安全性更高的產物。

OPPO 在Find X8/X8 pro系列手機主板充電過壓保護和50W無線充產物中,攝取了英諾賽科40V雙向導通芯片VGaN,一顆替代兩顆背靠背的 Si MOS,大大簡化了里面空間,使產物盤算愈加輕薄。同期,VGaN 具備雙向導通或關斷的特點,能在手機充電流程中對電板進行主動保護,增強了安全性和使用壽命。50W無線充更是稱心了用戶遍地隨時快速充電的需求。

充電側的超等閃充則攝取了英諾賽科高壓GaN,該芯片攝取TO-252 封裝,阻抗更低,散熱更強,后果更高。憑據 OPPO 官方數據對比,攝取英諾賽科高壓 GaN 的80W 超等閃充與此前標配的80W適配器相比,體積減小約18%,隨身佩戴更便捷。

各人朝上的智能終局制造商選拔與英諾賽科永恒深度互助,體現了其對創新工夫和產物質能的信心和決心。據了解,該廠商已有多個系列產物(包括 Find X7/X8/Ultra,Realme GT 系列,一加 Ace 系列,以及 50W~150W 快充)的主板和充電器均攝取了英諾賽科 AllGaN 工夫,達成了產物質能與競爭力的朝上。

氮化鎵賦能往時,共促行業創新

氮化鎵材料以其高頻、高電子移動率、強抗輻照智商及低導通電阻等不凡特點,正緩緩更動功率半導體行業神氣。巨擘機構預測,2023年至2028年間,各人氮化鎵功率半導體市集范圍將達成指數級增長,復合年增長率高達98.5%,市集后勁廣泛。

算作各人功率半導體更動的前驅,英諾賽科捏續引頸氮化鎵功率半導體行業進入加快發展階段,弗若斯特沙利文預測至2028年,各人市集范圍將達到501.4億元東談主民幣。

占據上風賽談,據悉,英諾賽科最近三年業務高速增長,收入由2021年的6821.5萬元(東談主民幣,下同)增多至2023年的5.9億元,2021年-2023年,收入復合年增長率高達194.8%。

一方面各人氮化鎵下流期騙進入爆發期,需求端強力拉動,另一方面收貨于公司永恒豪闊遠見的政策布局,英諾賽科攝取IDM邊幅,在產物盤算、工藝制造、測試及下流期騙等方面捏續大皆干涉,建設了特有且無可比較的工夫朝上地位及概述運營上風,或者有用稱心市集強盛需求。

算作第三代半導體氮化鎵更動的調換者,往時,英諾賽科將捏續深耕,期待以愈加不凡的工夫,助力更多行業廠商,打造更極致更優質的產物,共同鼓吹行業創新及期騙。

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